第三代半導體技術與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開，詳見后文
宜興市委宣傳部消息，中環領先集成電路用大直徑硅片項目、中車中低壓功率器件產業化項目一期、無錫海容電子超級陶瓷電容器與智能傳感器制造項目迎來新進展。
(資料圖片僅供參考)
中環領先集成電路用大直徑硅片項目
總投資30億美元的中環領先集成電路用大直徑硅片項目一期已經投產，二期部分投產，全部達產后將形成年產8英寸硅片900萬片、12英寸硅片420萬片的產能。據不完全統計，“中環系”已在宜興市投資約500億元。
中車中低壓功率器件產業化項目一期
今年3月開工的總投資59億元的中車中低壓功率器件產業化項目一期，目前正在加快推進建設，計劃年內主體工程封頂，預計2024年底投產。該項目產品主要用于新能源汽車領域，達產后可新增年產36萬片中低壓組件基材的生產能力，滿足每年300萬臺新能源汽車或300GW新能源發電裝機需求。
無錫海容電子超級陶瓷電容器與智能傳感器制造項目
總投資103億元的無錫海容電子超級陶瓷電容器與智能傳感器制造項目廠房已經封頂，預計年內一期竣工投產。去年4月，無錫海容電子超級陶瓷電容器與智能傳感器制造項目開工儀式在無錫宜興舉行。該項目建成投產后，將年產4000億只高壓高容多層片式電容器、200萬只氮氧傳感器、1億只汽車傳感器等。
來源：集微網
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體是戰略性新興產業的核心材料，在《“十四五”規劃和2035年遠景目標綱要》中被列為重點；碳中和與新能源體系變革的背景下，在風電、光伏、新能源汽車、儲能等行業應用前景廣闊。
據行業機構預測，到2026年，碳化硅產品市場將達35億美元，氮化鎵功率產品市場需求增長到21億美元。近年來，國內企業如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項目，全產業鏈項目約26個，國外龍頭如英飛凌等也正積極布局。
在碳化硅功率器件市場，受益于特斯拉的應用需求，意法半導體領先全球市場；Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個環節技術含量密集，是投資和創新重點。碳化硅6英寸襯底技術已經穩定導入產業，8英寸襯底正在探索商業化量產，其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進最為迅速，國內企業在提供樣品或小規模供貨階段。
第三代半導體技術與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開。重點關注碳化硅、氮化鎵產業鏈前景，最新襯底、外延、器件技術與項目投資，碳化硅、氮化鎵長晶技術，凈化工程與EPC，新興化合物半導體前沿技術與應用。參觀第三代半導體重點企業與項目。
會議主題包括但不限于
國際形勢對中國第三代半導體發展的影響
第三代半導體市場及產業發展機遇
6寸與8寸SiC項目投資與市場需求
SiC長晶工藝技術與設備
凈化工程與EPC工程項目實踐
8英寸SiC國產化進程和技術突破
SiC市場以及技術發展難題&解決方案
SiC與GaN外延片技術進展
大尺寸GaN長晶難點及技術展望
GaN材料技術進展
SiC與GaN器件與下游應用
功率器件封裝技術與材料
新興化合物半導體進展：氧化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅
工業參觀與考察（重點企業或園區）
最新日程如下
會議日程 |
寬禁帶器件應用中的機遇與挑戰（題目暫定） ——廈門三安光電有限公司（已定） |
中國第三代半導體產業布局情況（題目暫定） ——中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟（已定） |
SiC單晶生長技術淺析及應用展望（題目暫定） ——山西爍科晶體有限公司（已定） |
國產碳化硅功率器件機遇和挑戰（題目暫定） ——安徽芯塔電子科技有限公司（已定） |
國產SiC MOSFET發展要點淺析 ——泰科天潤半導體科技（北京）有限公司（已定） |
用于汽車半導體的碳化硅MOSFET解決方案（題目暫定） ——深圳基本半導體有限公司（已定） |
大尺寸碳化硅單晶工藝控制 ——山東天岳先進材料科技有限公司（待定） |
碳化硅晶體的生長技術，PVT法及液相法 ——中國電子科技集團公司第二研究所（待定） |
大尺寸碳化硅晶圓制造技術難點 ——上海積塔半導體有限公司（待定） |
Si基GaN器件及系統研究與產業前景 ——南方科技大學（待定） |
氮化鎵同質外延功率/射頻器件應用與相關單晶襯底制備技術的研發進展 ——東莞中鎵半導體科技有限公司（待定） |
中國第三代半導體供應鏈現狀 ——廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司（待定） |
GaN在車用功率半導體的應用 ——蘇州晶方半導體科技股份有限公司（待定） |
*以上演講報告列表將隨著會議邀請工作進展不斷更新，最終版以會場發布為準。
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